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近期，安徽大學(xué)李亮課題組通過化學(xué)氣相沉積技術(shù)生長了高度各向異性的二維PdSe2晶體，基于光電熱效應(yīng)制備了基于零偏壓驅(qū)動的二維偏振光電探測器，可實(shí)現(xiàn)在零偏壓下探測超寬范圍波長甚至是任意波長，該探測器具有超寬范圍響應(yīng)、空氣穩(wěn)定，偏振光響應(yīng)， 響應(yīng)度高等優(yōu)勢。需要指出的是，通過引入熱載流子輔助導(dǎo)熱打破了傳統(tǒng)熱探測器響應(yīng)速度慢的限制，實(shí)現(xiàn)了超快光熱電響應(yīng)（4?μs），是目前已知的基于PdSe2光電探測器中響應(yīng)速度最快的，這可能為發(fā)展超快超寬偏振光探測提供一定的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。

近年來，柔性表面增強(qiáng)拉曼(SERS)基底受到極大關(guān)注，尤其面對表面污染殘留物的檢測，可直接擦拭檢測，且無損或極小損傷。目前常用的有紙基、玻璃纖維、棉織布等，制備方法主要是將貴金屬納米粒子組裝在柔性基質(zhì)表面。然而由于貴金屬粒子裸露在表面，缺乏必要的保護(hù)，擦拭檢測后貴金屬粒子易受到損害，僅一次性使用，難于重復(fù)使用，難于滿足一些特殊的、惡劣環(huán)境（如抗超聲破壞、強(qiáng)酸堿介質(zhì)、高溫低溫環(huán)境）的應(yīng)用需求。

眾所周知，阻礙光伏器件性能提升的一個(gè)重要因素是低于光伏材料帶隙的低能紅外光子無法被充分利用。對于硅而言，大于1100 nm的太陽光不能被吸收，而這部分占據(jù)太陽光光譜能量的20%；對于帶隙更大的鈣鈦礦而言，不能被利用的太陽光顯著增多。因此，若能夠充分吸收這些低能紅外光子并實(shí)現(xiàn)高效轉(zhuǎn)換，將可在現(xiàn)有基礎(chǔ)上顯著提升對太陽能的利用率。為此，窄帶隙紅外光伏材料被視為實(shí)現(xiàn)低能紅外光子利用的關(guān)鍵所在。

與單晶或多晶Ga2O3相比，非晶Ga2O3材料具有明顯的成本優(yōu)勢。本研究開發(fā)出了一種具有超高性能和柵極可調(diào)光檢測能力的非晶Ga2O3日盲場效應(yīng)光電晶體管，并對其光電性能進(jìn)行了全面調(diào)研。射頻磁控濺射用于在經(jīng)濟(jì)的Si/SiO2襯底上沉積非晶GaOx薄膜。通過施加適當(dāng)?shù)谋硸烹妷海╒G），可以很好地控制場效應(yīng)光電晶體管的光電性能和暗電流。制成的日盲型GaOx薄膜場效應(yīng)光電晶體管具有出色的深紫外光光電探測特性，包括4.1×103 AW-1的超高光敏性，2.5×1013?Jones的高探測率，以及極高的外量子效率。在70 μW cm-2的254 nm的弱光照下，外量子效率為2×106％，光電導(dǎo)增益為1.6×107。還揭示了光檢測特性取決于偏置電壓和光強(qiáng)度。另外，成功地展示了GaOx光電晶體管作為感測像素的日盲成像功能。獲得了目標(biāo)的清晰圖像，這是有關(guān)非晶GaOx?探測器日盲成像的第一次報(bào)道。這些結(jié)果，加上其易于制造和低成本，使得該日盲非晶GaOx薄膜場效應(yīng)光電晶體管有望用于下一代光電成像應(yīng)用。

由于可以廣泛用于光學(xué)成像，空間光通信，導(dǎo)彈制導(dǎo)和定位導(dǎo)航等領(lǐng)域，作為現(xiàn)代光電設(shè)備中關(guān)鍵組件的光電探測器（PD）近年來已引起越來越多的研究興趣。目前，商用光電探測器主要基于Si光電二極管，是因?yàn)樗牡统杀竞团c高度成熟的硅工藝帶來的高度兼容性。在280 nm以下的波長下工作的深紫外光電探測器（深紫外光PD）尚未十分成熟，它們是近年來在火焰探測，導(dǎo)彈預(yù)警系統(tǒng)，機(jī)密空間通信，深紫外線成像機(jī)方面具有潛在應(yīng)用的研究熱點(diǎn)。能隙為4.7-4.9 eV的Ga2O3材料，由于其高輻射耐受性，高熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性以及在深紫外區(qū)域的強(qiáng)吸收性，是未來有發(fā)展前景的深紫外光PD的候選項(xiàng)。