看av免费毛片手机播放,蜜桃麻豆WWW久久囤产精品,国精产品一区一区三区有限,久久久国产精品黄毛片,精品国产亚洲AV麻豆

EN
首頁(yè) > 產(chǎn)品 > 工業(yè)分析與系統(tǒng) > 半導(dǎo)體光學(xué)參數(shù)檢測(cè) > OmniFluo990-DUV 深紫外寬禁帶半導(dǎo)體熒光測(cè)試系統(tǒng)

OmniFluo990-DUV

OmniFluo990-DUV 深紫外寬禁帶半導(dǎo)體熒光測(cè)試系統(tǒng)

深紫外超寬禁帶半導(dǎo)體熒光測(cè)試系統(tǒng),基于我司20年左右的第三代半導(dǎo)體表征測(cè)試經(jīng)驗(yàn),可以有效地對(duì)寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料例如AlN和AlGaN等進(jìn)行熒光激發(fā)
產(chǎn)品咨詢
資料下載
產(chǎn)品概述
一、什么是寬禁帶半導(dǎo)體呢?
 
固體的能帶結(jié)構(gòu)主要分為導(dǎo)帶、價(jià)帶和禁帶三部分,原子中最外層電子稱為價(jià)電子,價(jià)電子所占據(jù)的能帶稱為價(jià)帶;比價(jià)帶能量更高的允許帶稱為導(dǎo)帶;在價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的范圍是電子無(wú)法占據(jù)的,這一范圍稱為禁帶。
材料想要導(dǎo)電,就需要價(jià)帶中的電子躍遷到導(dǎo)帶中,形成可以自由移動(dòng)的電子。電子需要躍遷的距離就是禁帶寬度。
物體要導(dǎo)電,就必須在導(dǎo)帶中存在可以移動(dòng)的自由電子。因此,我們可以猜想:禁帶寬度越窄的物體,電子就越容易發(fā)生躍遷,因此就越容易導(dǎo)電。相反,禁帶寬度越寬的物體,電子躍遷所需要的能量就越高,因此就越不容易發(fā)生電子躍遷而導(dǎo)電。
那事實(shí)是不是和我們猜想的一樣呢?讓我們分別來(lái)看一下導(dǎo)體、半導(dǎo)體、寬禁帶半導(dǎo)體、超寬禁帶半導(dǎo)體和絕緣體的禁帶寬度,如下圖所示。
從圖中我們可以看出,導(dǎo)體的價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶的底部挨在了一起,即導(dǎo)體的禁帶寬度為0。因此,導(dǎo)體不需要外部能量,價(jià)帶中的電子就可以移動(dòng)到導(dǎo)帶中,從而導(dǎo)電。
絕緣體的價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的距離最遠(yuǎn),遠(yuǎn)到電子基本無(wú)法獲得足夠的能量發(fā)生躍遷。
半導(dǎo)體的禁帶寬度介于導(dǎo)體和絕緣體之間。
寬禁帶半導(dǎo)體就是禁帶寬度大于傳統(tǒng)半導(dǎo)體的一種半導(dǎo)體材料,如碳化硅(SIC)和氮化鎵(GAN)。如果禁帶寬度再寬一點(diǎn),就被稱為超寬禁帶半導(dǎo)體,如氮化鋁鎵(AlGaN)、氧化鎵(Ga2O3)等。
 
第三代半導(dǎo)體材料--寬禁帶半導(dǎo)體相比于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料都有哪些優(yōu)勢(shì)呢?
 
碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料,和氮化鎵(GaN)都具有寬禁帶寬度的特性,被稱為第三代半導(dǎo)體材料。傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料Si和寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC、GaN的對(duì)比如下圖所示。
 
從圖中我們可以看出,半導(dǎo)體Si的禁帶寬度為1.12電子伏特,而寬禁帶半導(dǎo)體SiC禁帶寬度為3.23電子伏特,寬禁帶半導(dǎo)體GaN的禁帶寬度和SiC差不多為3.42電子伏特。正是因?yàn)镾iC和GaN具有更寬的禁帶寬度,從而使其擁有更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,從上表中可以看出,SiC和GaN的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度大約是Si的10倍左右,因此寬禁帶半導(dǎo)體器件的工作電壓更高,體積更小。
SiC的熱導(dǎo)率為4.0,而SI的導(dǎo)熱率只有1.5,因此SIC的散熱性能更好,擁有更優(yōu)良的耐高溫性能,有助于提高系統(tǒng)的整體功率密度。但我們也看到了氮化鎵(GaN)的熱導(dǎo)率只有1.3,因此這就決定了GaN半導(dǎo)體器件工作的功率沒(méi)有SiC半導(dǎo)體器件工作的溫度高。
飽和電子漂移速率是指半導(dǎo)體中電子漂移速度的最大值,當(dāng)電子漂移速度達(dá)到該值時(shí),即使再增大電場(chǎng)強(qiáng)度,電子的漂移速度也不會(huì)再增加。高飽和電子漂移速率的半導(dǎo)體材料在高頻、高速信號(hào)的處理中有出色的表現(xiàn)。從上表可以看出,GaN的飽和電子漂移速率為2.5,比Si和SiC都大,因此GaN半導(dǎo)體器件常常應(yīng)用于更高頻率的場(chǎng)合。
除此之外,寬禁帶半導(dǎo)體在輻射環(huán)境下的穩(wěn)定性要遠(yuǎn)超過(guò)傳統(tǒng)的SI基芯片,擁有優(yōu)異的抗輻射能力和良好的化學(xué)穩(wěn)定性。
總結(jié):
通過(guò)對(duì)比,寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)相較于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料硅(Si)擁有更高的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度、更高的熱導(dǎo)率和更大的飽和電子漂移速率,材料性能可以說(shuō)是單方面碾壓傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅(Si)。寬禁帶半導(dǎo)體材料的這些優(yōu)異性能,使得利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制作的半導(dǎo)體功率器件更能滿足現(xiàn)代工業(yè)對(duì)于高功率、高電壓、高頻率、小體積的需求。
 
寬禁帶半導(dǎo)體材料的表征,以載流子濃度及載流子遷移率為主
寬禁帶半導(dǎo)體材料測(cè)試難點(diǎn)在于:

寬禁半導(dǎo)體帶材料的帶隙較大,擊穿電場(chǎng)較高。需要上千伏高壓進(jìn)行測(cè)試。
寬禁帶半導(dǎo)體材料是高流器件的制備材料,需要用到幾十安培的高流進(jìn)行測(cè)試。
四線法及霍爾效應(yīng)測(cè)試均是加流測(cè)壓的過(guò)程,需要設(shè)備能輸出電流并且測(cè)試電壓。
電阻率及電子遷移率通常范圍較大,需要電流電壓范圍都很大的設(shè)備。
電流源和電壓表精度要高,保證測(cè)試的準(zhǔn)確性。
發(fā)光角度的差異:針對(duì)AlN的發(fā)光波段(200-210nm),沒(méi)有合適的濾光片濾除激光,且AlN由于輕重空穴帶反轉(zhuǎn),其熒光發(fā)光角度為側(cè)面出光
 
我司研發(fā)的DUVL900 深紫外超寬禁帶半導(dǎo)體熒光測(cè)試系統(tǒng),基于我司20年左右的第三代半導(dǎo)體表征測(cè)試經(jīng)驗(yàn),可以有效地對(duì)寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料例如AlN和AlGaN等進(jìn)行熒光激發(fā)。
系統(tǒng)方案說(shuō)明如下
 
系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
(一)激光器部分
1.國(guó)產(chǎn)195NM超短脈沖激光產(chǎn)生技術(shù)方案
 
以鎖模鈦寶石激光器作為基頻光源,經(jīng)過(guò)多級(jí)倍頻/和頻來(lái)產(chǎn)生195nm的深紫外激光。受非線性晶體相位匹配條件的限制,常用的紫外倍頻晶體BBO直接倍頻產(chǎn)生的激光波長(zhǎng)>205nm,但BBO晶體可支持和頻的方式獲得200nm波長(zhǎng)以下的激光。因此擬采用倍頻+兩級(jí)和頻的方式來(lái)獲得所需的195nm激光,方案示意圖如圖1所示。780nm左右的基頻光首先經(jīng)倍頻獲得二倍頻激光脈沖(390nm),然后二倍頻激光再與剩余基頻光和頻獲得三倍頻脈沖(260nm),三倍頻脈沖再與基頻光和頻產(chǎn)生四倍頻紫外激光(195nm)。另外由于脈沖較短,激光在倍頻與傳輸過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生較大的群速走離,影響后續(xù)和頻的效率,因此在每個(gè)和頻單元需要加入延遲線來(lái)補(bǔ)償不同波長(zhǎng)光束之間產(chǎn)生的群速延遲,以保持脈沖之間的同步。
基頻光源技術(shù)參數(shù)
該方案需要的基頻光源的主要技術(shù)參數(shù):
(1)波長(zhǎng):780 nm
(2)脈沖寬度:~100 fs(或根據(jù)實(shí)際需求調(diào)整)
(3)重復(fù)頻率:80 MHz(或根據(jù)實(shí)際需求調(diào)整)
(4)光束質(zhì)量:M <1.3
(5)功率:~2.5W(取決于對(duì)195NM激光功率的需求,2.5W基頻光對(duì)應(yīng)于約4mW
的195nm激光功率)
(2)輸出功率
195 nm激光輸出功率約4 mW(基頻功率>2.5W@780nM)
(二)光學(xué)部分設(shè)計(jì)概述
光學(xué)部分如圖 1所示,由適配冷熱臺(tái)的顯微鏡模組、耦合光路模組、激發(fā)和收集模組(190nm-550 nm)、單色儀和TCSPC系統(tǒng)和側(cè)面收集模組構(gòu)成。
顯微鏡模組配備適配190-600nm的紫外物鏡,可將激光聚焦成約2微米的光斑后激發(fā)樣品熒光或光電流,從而大大提高激發(fā)功率密度,以獲得較強(qiáng)的熒光信號(hào)。顯微鏡可在顯微成像和熒光光譜兩種模式下切換,用戶可以通過(guò)聚焦到樣品的顯微像確認(rèn)熒光收集區(qū)域、激光光斑聚焦和收集光路的對(duì)準(zhǔn)等。
 
耦合光路模組將激光和物鏡收集的熒光傳輸?shù)郊ぐl(fā)和收集模組(190nm-550nm),通過(guò)長(zhǎng)波通濾光片將195nm的激光和熒光分離,190nm-550nm的熒光進(jìn)入單色儀入口1收集,通過(guò)時(shí)間分辨單光子系統(tǒng)(TCSPC)中的PMT獲得熒光信號(hào)強(qiáng)度,通過(guò)光柵逐步長(zhǎng)掃描獲得光譜,通過(guò)TCSPC系統(tǒng)獲得光譜的熒光壽命。
針對(duì)AlN的發(fā)光波段(200-210nm),沒(méi)有合適的濾光片濾除激光,且AlN由于輕重空穴帶反轉(zhuǎn),其熒光發(fā)光角度為側(cè)面出光,因此設(shè)置側(cè)面收集模組,將側(cè)面發(fā)出的熒光(200-550nm)通過(guò)一個(gè)單獨(dú)傾斜60度角的物鏡收集后,通過(guò)光纖傳入單色儀入口2進(jìn)行收集和測(cè)量。
樣品位于可變溫-190~600℃(標(biāo)配)與10K~300K(可選)冷熱臺(tái)中,可通過(guò)光窗進(jìn)行光激發(fā)和收集。為了對(duì)樣品進(jìn)行聚焦,將冷熱臺(tái)置于手動(dòng)XYZ平移臺(tái)上,可在小范圍內(nèi)對(duì)樣品進(jìn)行選區(qū)和通過(guò)調(diào)節(jié)Z軸進(jìn)行聚焦,具體的調(diào)節(jié)方式是:變溫臺(tái)實(shí)現(xiàn)XY方向調(diào)整,Z軸由物鏡升降實(shí)現(xiàn)。
系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)

 
革命性的插槽式并聯(lián)光路設(shè)計(jì)
優(yōu)勢(shì):
 
強(qiáng)大的光路穩(wěn)定性:取消了傳統(tǒng)意義上的顯微鏡周邊冗余,更加貼合光路穩(wěn)定性要求比較高的未來(lái)應(yīng)用場(chǎng)景
無(wú)限拓展的可能性:顯微鏡光路,熒光,RAMAN,振鏡掃描光電流光路,不同波長(zhǎng)的熒光與RAMAN測(cè)試,依次并聯(lián),無(wú)限拓展
定量測(cè)試的高準(zhǔn)確度:激光功率校準(zhǔn)集成在顯微鏡模組中,通過(guò)測(cè)量激光采樣鏡獲取的少量激光光強(qiáng),可作為激光功率的實(shí)時(shí)校準(zhǔn)和參考,并通過(guò)集成在熒光和拉曼模組中的連續(xù)衰減片調(diào)節(jié)光強(qiáng)。
更多的功能實(shí)現(xiàn):熒光光強(qiáng)對(duì)于激發(fā)功率密度非常敏感,要準(zhǔn)確的比較不同樣品的熒光光強(qiáng),需要應(yīng)用翹曲度模組通過(guò)自動(dòng)對(duì)焦,固定激發(fā)光斑的大小,同時(shí)通過(guò)激光功率校準(zhǔn)來(lái)固定激發(fā)光強(qiáng),最終保證了顯微共聚焦熒光光強(qiáng)的穩(wěn)定性和可比較性。
 
系統(tǒng)實(shí)際安裝照片

實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)





智能化軟件平臺(tái)和模塊化設(shè)計(jì)
· 統(tǒng)一的軟件平臺(tái)和模塊化設(shè)計(jì) 
· 良好的適配不同的硬件設(shè)備:平移臺(tái)、顯微成像裝置、光譜采集設(shè)備、自動(dòng)聚焦裝置等
· 成熟的功能化模塊:晶圓定位、光譜采集、掃描成像Mapping、3D層析,Raman Mapping,F(xiàn)LIM,PL Mapping,光電流Mapping等。
· 智能化的數(shù)據(jù)處理模組:與數(shù)據(jù)擬合、機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能等結(jié)合的在線或離線數(shù)據(jù)處理模組,將光譜解析為成分、元素的分布等,為客戶提供直觀的結(jié)果??筛鶕?jù)客
· 戶需求定制光譜數(shù)據(jù)解析的流程和模組
· 可根據(jù)客戶需求進(jìn)行定制化的界面設(shè)計(jì)和定制化的RECIPE流程設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的采集和數(shù)據(jù)處理功能。
 
顯微光譜成像控制軟件界面 
強(qiáng)大的光譜圖像數(shù)據(jù)處理軟件VISUALSPECTRA
顯示:針對(duì)光譜Mapping數(shù)據(jù)的處理,一次性操作,可對(duì)整個(gè)圖像數(shù)據(jù)中的每一條光譜按照設(shè)定進(jìn)行批處理,獲得對(duì)應(yīng)的譜峰、壽命、成分等信息,并以偽彩色或3D圖進(jìn)行顯示。
 
顯微光譜成像控制軟件界面
3D顯示
基礎(chǔ)處理功能:去本底、曲線平滑、去雜線、去除接譜臺(tái)階、光譜單位轉(zhuǎn)化
進(jìn)階功能:光譜歸一化、選區(qū)獲取積分、*大、*小、*大/*小值位置等
 
譜峰擬合:采用多種峰形(高斯、洛倫茲、高斯洛倫茲等)對(duì)光譜進(jìn)行多峰擬合,獲取峰強(qiáng)、峰寬、峰位、背景等信息。
**功能:應(yīng)力擬合:針對(duì)Si、GaN、SiC等多種材料,從拉曼光譜中解析材料的應(yīng)力變化,直接獲得應(yīng)力定量數(shù)值,并可根據(jù)校正數(shù)據(jù)進(jìn)行校正。
**功能:應(yīng)力擬合:針對(duì)S1、GAN、SIC等多種材料,從拉曼光譜中解析材料的應(yīng)力變化,直接獲得應(yīng)力定量數(shù)值,并可根據(jù)校正數(shù)據(jù)進(jìn)行校正。
載流子濃度擬合
晶化率擬合
熒光壽命擬合
自主開發(fā)的一套時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)(TCSPC)熒光壽命的擬合算法,主要特色
1.從上升沿?cái)M合光譜響應(yīng)函數(shù)(IRF),無(wú)需實(shí)驗(yàn)獲取。
2.區(qū)別于簡(jiǎn)單的指數(shù)擬合,通過(guò)光譜響應(yīng)函數(shù)卷積算法獲得每個(gè)組分的熒光壽命,光子數(shù)比例,計(jì)算評(píng)價(jià)函數(shù)和殘差,可扣除積分和響應(yīng)系統(tǒng)時(shí)間不確定度的影響,獲得更加穩(wěn)定可靠的壽命數(shù)值。
3.*多包含4個(gè)時(shí)間組分進(jìn)行擬合。
熒光壽命擬合
主成分分析和聚類分析
每個(gè)主成分的譜顯示
主成分的分布圖
主成分聚類處理和分析