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SPM900半導體晶圓缺陷與少子壽命測試系統

PL測試是一種無損的測試方法,可以快速、便捷地表征半導體材料的缺陷、雜質以及材料的發(fā)光性能。其主要功能包括:1)組分測定;對三元或四元系合金,如InGaN等,通過PL 峰位確定半導體材料的禁帶寬度,進而確定材料組分X;2)雜質識別;通過光譜中的特征譜線位置,可以識別材料中的雜質元素;3)雜質濃度測定;4)半導體材料的少數載流子壽命測量;5)位錯等缺陷的相關作用研究。
 
 
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產品概述

PL測試是一種無損的測試方法,可以快速、便捷地表征半導體材料的缺陷、雜質以及材料的發(fā)光性能。其主要功能包括:1)組分測定;對三元或四元系合金,如InGaN等,通過PL 峰位確定半導體材料的禁帶寬度,進而確定材料組分X;2)雜質識別;通過光譜中的特征譜線位置,可以識別材料中的雜質元素;3)雜質濃度測定;4)半導體材料的少數載流子壽命測量;5)位錯等缺陷的相關作用研究。

 
基本原理:
光致發(fā)光大致經過光吸收、能量傳遞及光發(fā)射三個主要階段,光的吸收及發(fā)射都發(fā)生于能級之間的躍遷,都經過激發(fā)態(tài)。而能量傳遞則是由于激發(fā)態(tài)的運動。光吸收:樣品受到紫外或可見光的照射,導致材料中的電子躍遷到高能態(tài),在價帶留下空穴,電子和空穴各自在導帶和價帶中占據*低激發(fā)態(tài),即導帶底和價帶頂,成為準平衡態(tài),也是一種暫態(tài),不穩(wěn)定狀態(tài),能量傳遞:準平衡態(tài)下的電子和空穴復合發(fā)光,產生特定波長的光子,激發(fā)的電子在一段時間后返回到低能態(tài)。光發(fā)射:在電子返回低能態(tài)的過程中,釋放出能量,以光子的形式發(fā)射出來。電子躍遷到不同的低能級,就會發(fā)出不同的光子,但是發(fā)出的光子能量肯定不會比吸收的能量大。這發(fā)射的光子具有不同的波長,可用于研究材料的性質。通過探測光的強度或能量分布得到曲線,形成光致發(fā)光譜(PHOTOLU-MINESCENCE SPECTROSCOPY,簡稱PL譜)。
主要應用與功能

組分測定
通過測量光致發(fā)光峰位來確定半導體材料的禁帶寬度,從而推斷材料的組成。例如,MAPBIBR:-X 的帶隙隨X值而變化,因為發(fā)光的峰值波長取決于禁帶寬度且禁帶寬度和X值有關,因此通過發(fā)光峰峰值波長可以測定組分百分比X值。
雜質識別
通過測量材料的光致發(fā)光光譜,標定特征譜線的位置,可以識別材料中的雜質元素,以及對雜質濃度進行測定。
位錯缺陷研究
光致發(fā)光可以提供有關材料的結構、成分及環(huán)境原子排列的信息,是一種非破壞性的、靈敏度高的分析方法。光致發(fā)光光譜可以用來研究晶體缺陷,例如離子空位和取代,這對于鈣鈦礦這樣的材料尤其重要。過多的缺陷會導致電子與空穴進行非輻射復合并以熱能的形式耗散,降低材料的光致發(fā)光性能以及光伏性能。
 
載流子壽命研究
可以通過強度相關的光致發(fā)光壽命測量,確定載流子擴散的影響以及其對總體壽命的影響。
 
實測數據
晶圓級半導體光致發(fā)光譜測試系統(穩(wěn)態(tài) / 時間分辨)
Wafer-scale Semiconductor Photoluminescence (PL)
Mapping System (Steady-state / Time-resolved)
針對光電半導體晶圓的發(fā)光特性檢測需求,以共聚焦方式在晶圓表面逐點采集光致發(fā)光光譜并成像。
 
· 整晶圓上的熒光強度、波長、壽命等發(fā)光參數的一致性評估
· 雜質、缺陷、組分等對復合機制的影響
產品特性和核心技術:
 
· 激光自動聚焦
· 自主研制的激光輔助離焦量傳感器:
可在光致發(fā)光譜測量的同時工作,能夠在全晶圓的范圍內掃描時實現實時地自動聚焦和表面跟蹤。
· 提供紫外到可見多個不同波長的激光激發(fā),可按用戶需求選配。
· 可選配正方向和側方向雙路熒光接收光路。
· 應對AlGaN等深紫外半導體選擇定則造成的側面出光情形。
· 全自動操作。
· 提自動化的控制軟件和數據處理軟件,全軟件操作。
 
性能參數:
熒光激發(fā)和收集模塊 激發(fā)波長 213/266/375/405 nm
自動對焦 在全掃描范圍自動聚焦和實時表面跟蹤。
對焦精度<0.2 um。
顯微鏡 可見光物鏡,100 × / 50 × / 20 ×, 用于405 nm激發(fā)光。
近紫外物鏡,100 × / 20 ×,用于375 nm激發(fā)光。
紫外物鏡,5 ×,用于213 nm / 266 nm的紫外激發(fā)光。
樣品移動和掃描平臺 平移臺 掃描范圍大于300 × 300 mm²。
*小分辨率1 m。
樣品臺 8吋吸氣臺(12吋可定制)
可兼容2、4、6、8吋晶圓片
光譜儀和探測器 光譜儀 焦長320 mm單色儀,可接面陣探測器。
光譜分辨率:優(yōu)于0.2 nm @ 1200 g/mm
  熒光壽命測試模塊 熒光壽命測試精度 8 ps,測試范圍50 ps ~ 1 ms
軟件 控制軟件 可選擇區(qū)域或指定點位自動進行逐點光譜采集
Mapping數據分析軟件 可對光譜峰位、峰高、半高寬等進行擬合。
可計算熒光壽命、薄膜厚度、翹曲度等。
將擬合結果以二維圖像方式顯示。
· 上述表格中的激光波長、物鏡和單色儀等部件可以根據客戶需求調整。
 
應用案例:
2英寸綠光InGaN晶圓掃描







 

智能化軟件平臺和模塊化設計
· 統一的軟件平臺和模塊化設計

· 良好的適配不同的硬件設備:平移臺、顯微成像裝置、光譜采集設備、自動聚焦裝置等
· 成熟的功能化模塊:晶圓定位、光譜采集、掃描成像Mapping、3D層析,Raman Mapping,FLIM,PL Mapping,光電流Mapping等。
· 智能化的數據處理模組:與數據擬合、機器學習、人工智能等結合的在線或離線數據處理模組,將光譜解析為成分、元素的分布等,為客戶提供直觀的結果??筛鶕蛻粜枨蠖ㄖ乒庾V數據解析的流程和模組
· 可根據客戶需求進行定制化的界面設計和定制化的RECIPE流程設計,實現復雜的采集和數據處理功能。
顯微光譜成像控制軟件界面
強大的光譜圖像數據處理軟件VISUALSPECTRA
顯示:針對光譜Mapping數據的處理,一次性操作,可對整個圖像數據中的每一條光譜按照設定進行批處理,獲得對應的譜峰、壽命、成分等信息,并以偽彩色或3D圖進行顯示。
 
顯微光譜成像控制軟件界面
3D顯示
 
基礎處理功能:去本底、曲線平滑、去雜線、去除接譜臺階、光譜單位轉化
進階功能:光譜歸一化、選區(qū)獲取積分、*大、*小、*大/*小值位置等
 
譜峰擬合:采用多種峰形(高斯、洛倫茲、高斯洛倫茲等)對光譜進行多峰擬合,獲取峰強、峰寬、峰位、背景等信息。
 
**功能:應力擬 合:針對Si、GaN、SiC等多種材料,從拉曼光譜中解析材料的應力變化,直接獲得應力定量數值,并可根據校正數據進行校正。
 
**功能:應力擬合:針對S1、GAN、SIC等多種材料,從拉曼光譜中解析材料的應力變化,直接獲得應力定量數值,并可根據校正數據進行校正。
 
載流子濃度擬合
 
晶化率擬合
 
熒光壽命擬合
 
自主開發(fā)的一套時間相關單光子計數(TCSPC)熒光壽命的擬合算法,主要特色
1.從上升沿擬合光譜響應函數(IRF),無需實驗獲取。
2.區(qū)別于簡單的指數擬合,通過光譜響應函數卷積算法獲得每個組分的熒光壽命,光子數比例,計算評價函數和殘差,可扣除積分和響應系統時間不確定度的影響,獲得更加穩(wěn)定可靠的壽命數值。
3.*多包含4個時間組分進行擬合。
 
熒光壽命擬合
 
主成分分析和聚類分析
 
每個主成分的譜顯示
 
主成分的分布圖
 
主成分聚類處理和分析