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在半導(dǎo)體制造過程中,前期的全自動晶圓缺陷檢測技術(shù)非常重要。因為在后端的生產(chǎn)流程中,通常會有多片晶圓粘合到一起,或者把晶圓粘合到不透明的材料上。因為半導(dǎo)體材料對可見光都是不透明的,所以很難用可見圖像技術(shù)對粘合效果做表征或者檢測粘合表面的污染。近紅外檢測技術(shù)是在半導(dǎo)體工業(yè)的質(zhì)量監(jiān)控一項有前途的新技術(shù)。本文重點介紹近紅外成像檢測技術(shù)在MEMS工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮的重要性!
從上世紀90年代初開始,世界范圍內(nèi)掀起了研究高亮度LED的熱潮,以它為基礎(chǔ)的固體照明正在迅猛發(fā)展。因為高亮度LED采用雙異質(zhì)結(jié)構(gòu),要求材料具有良好的晶格匹配,這個要求對用于異質(zhì)結(jié)LED的材料體系提出了嚴格的限制。 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料,擁有優(yōu)良的光電性質(zhì),化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定,可在?高溫、酸堿、輻射環(huán)境下使?用,并且禁帶寬度大,因此在大功率的電子器件方面頗具吸引力,已引起了國內(nèi)外眾多研究者的興趣。人們感興趣的Ⅲ-Ⅴ族氮化物是AIN、GaN、InN及其合金,通過控制它們各自的組份,其禁帶寬度可從InN的0.7eV到GaN的3.4eV直到AlN的6.2eV連續(xù)變化,覆蓋了整個可見光區(qū),并擴展到紫外范圍,適合制備高亮度LED。
氧化亞銅為一價銅的氧化物,是鮮紅色粉末狀固體,幾乎不溶于水,在酸性溶液中化為二價銅。它是一種重要的P型半導(dǎo)體材料,禁帶寬度僅為2.1eV,光電轉(zhuǎn)換效率可達到18%。1998年氧化亞銅被發(fā)現(xiàn)可作為催化劑在陽光下將水分解成氫氣和氧氣,證明是一種極具前景的光催化氧化材料?,F(xiàn)今,隨著納米材料的發(fā)展,不僅已經(jīng)制備各種尺寸及形貌的氧化亞銅微納米結(jié)構(gòu),還提出了多種形貌控制理論,如量子點、納米線、納米片、納米球、多面體、空心結(jié)構(gòu)等。納米級的Cu2O還具有獨特的光學(xué)和磁學(xué)性質(zhì),在光電轉(zhuǎn)換、工業(yè)催化和氣體傳感器等方面也得到了廣泛的應(yīng)用。
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